Samsung Memperkenalkan Chip HBM4

 📢 Samsung secara terbuka memperkenalkan chip HBM4

Memori Bandwidth Tinggi di acara Pameran Semikonduktor (SEDEX) 2025 di Korea Selatan, yang berlangsung pada 22-24 Oktober 2025.

Pengungkapan ini menandakan dorongan signifikan Samsung untuk bersaing dalam teknologi memori AI generasi berikutnya, dengan tujuan untuk kembali memimpin pasar.

🚀 Detail Utama HBM4 Samsung

Chip HBM4 adalah generasi keenam dari Memori Bandwidth Tinggi, komponen penting untuk akselerator AI dan komputasi kinerja tinggi (HPC).
Proses Manufaktur: Samsung menggunakan teknologi DRAM 1c canggihnya dan proses pengecoran 4nm untuk die logika (atau chip dasar), yang merupakan pembeda utama dalam hal kinerja dan efisiensi daya.

Performa: HBM4 Samsung dispesifikasikan memiliki fitur:
Penumpukan 12 lapis (12-Hi).
Kecepatan transfer data hingga 11 Gbps (Gigabit per detik) per pin, yang lebih tinggi dari standar JEDEC.
Bandwidth memori maksimum 2,8 TB per detik per tumpukan.
Produksi Massal: Perusahaan berencana untuk mempercepat linimasanya, menargetkan produksi massal pada akhir tahun 2025 atau awal tahun 2026.
Strategi: HBM4 dipandang sebagai langkah penting Samsung untuk mengamankan pesanan besar dari produsen cip AI seperti NVIDIA dan AMD serta menantang dominasi pasar pesaingnya, SK Hynix, saat ini.

📈 Persaingan Pasar HBM

Pengembangan dan produksi HBM4 merupakan inti dari persaingan yang ketat di antara produsen memori karena pertumbuhan AI Generatif yang pesat.
SK Hynix juga telah menyelesaikan pengembangan chip HBM4 dan, seperti Samsung, sedang bekerja sama dengan pelanggan seperti NVIDIA untuk kualifikasi.
Transisi ke HBM4 memperkenalkan faktor kustomisasi, karena logic die—"otak" dari tumpukan HBM—akan semakin disesuaikan dengan GPU atau prosesor AI spesifik yang akan dihubungkannya, menjadikan proses pengecoran (yang digunakan Samsung untuk logic die HBM4) semakin penting.

Ingin tahu lebih banyak tentang perbedaan teknis antar generasi HBM atau peran HBM dalam prosesor AI?