Berdasarkan informasi terbaru, Samsung Electronics mempercepat konstruksi di Pyeongtaek Campus Line 4 (P4) di Korea Selatan untuk meningkatkan produksi massal DRAM 1c.
Berikut adalah poin-poin penting dari inisiatif ini:
Tujuan utama: Memulai produksi massal DRAM generasi keenam 10nm-class (1c DRAM).
Waktu: Samsung berencana untuk memulai pekerjaan awal pada Agustus 2025 dan konstruksi resmi pada November.
Tujuan utama: Memulai produksi massal DRAM generasi keenam 10nm-class (1c DRAM).
Waktu: Samsung berencana untuk memulai pekerjaan awal pada Agustus 2025 dan konstruksi resmi pada November.
 |
| Credit :Samsung |
Posisi di pasar: Langkah ini dilihat sebagai strategi Samsung untuk mengejar ketertinggalan dari para pesaingnya, terutama SK Hynix dan Micron, dalam pasar memori HBM (High Bandwidth Memory).
Hubungan dengan HBM4: 1c DRAM akan menjadi komponen inti untuk HBM4 generasi berikutnya yang akan digunakan dalam GPU kecerdasan buatan (AI).
Tantangan: Samsung telah menghadapi tantangan dengan hasil (yield) produksi 1c DRAM, tetapi laporan terbaru menunjukkan perbaikan yang signifikan. Perusahaan ini juga melakukan desain ulang chip untuk meningkatkan kinerja dan stabilitas.
Investasi dan Kapasitas: Samsung berencana untuk berinvestasi dalam fasilitas produksi 1c DRAM di P4, dengan tujuan mencapai kapasitas produksi bulanan 60.000 wafer. Selain itu, ada laporan bahwa Samsung juga akan menggunakan lini produksi Hwaseong 17 untuk 1c DRAM.
Posting Komentar